功率MOSFET具备导通电阻较低、阻抗电流大的优点，因而非常适合用于开关电源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整流组件，不过，在搭配MOSFET时有一些注意事项。　　功率MOSFET和双极型晶体管有所不同，它的栅极电容较为大，在导通之前要再行对该电容电池，当电容电压多达阈值电压（VGS-TH）时MOSFET才开始导通。因此，栅极驱动器的阻抗能力必需充足大，以确保在系统拒绝的时间内已完成对等效栅极电容（CEI）的电池。

　　在计算出来栅极驱动电流时，最常犯的一个错误就是将MOSFET的输出电容（CISS）和CEI混为一谈，于是不会用于下面这个公式去计算出来峰值栅极电流。　　I=C（dv/dt）　　实质上，CEI的值比CISS低很多，必需要根据MOSFET生产商获取的栅极电荷（QG）指标计算出来。　　QG是MOSFET栅极电容的一部分，计算公式如下：　　QG=QGS+QGD+QOD　　其中：　　QG--总的栅极电荷　　QGS--栅极-源近于电荷　　QGD--栅极-漏极电荷（Miller）　　QOD--Miller电容充满著后的过充电荷　　典型的MOSFET曲线如图1右图，很多MOSFET厂商都获取这种曲线。可以看见，为了确保MOSFET导通，用来对CGS电池的VGS要比额定值低一些，而且CGS也要比VTH低。

栅极电荷除以VGS相等CEI，栅极电荷除以导通时间相等所需的驱动电流（在规定的时间内导通）。　　用公式回应如下：　　QG=（CEI）（VGS）　　IG=QG/t导通　　其中：　　●QG总栅极电荷，定义同上。

　　●CEI等效栅极电容　　●VGS稿-源极间电压　　●IG使MOSFET在规定时间内导通所须要栅极驱动电流　　　　图1　　以往的SMPS控制器中必要构建了驱动器，这对于某些产品而言十分简单，但是，由于这种驱动器的输入峰值电流一般大于1A，所以应用于范围较为受限。另外，驱动器收到的冷还不会导致电压基准的飘移。

　　随着市场对智能型电源设备的呼声日益反感，人们研制出了功能更为完备的SMPS控制器。

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